Samsung Electronics приступила к поставкам 20-нм чипов NAND-памяти для использования в картах формата SD и непосредственно в потребительской электронике в качестве встроенного хранилища. Чипы выполнены по технологии многоуровневой структуры ячеек, то есть позволяют хранить в каждой ячейке несколько бит данных. Емкость одного чипа составляет 32 Гбит или 4 ГБ.

В компании отмечают переход на 20-нм топологию как существенный шаг, открывающий новые горизонты перед производителями и пользователями электроники. Переход на новый техпроцесс был осуществлен примерно год спустя после запуска в массовое производство 30-нм памяти (это случилось в марте прошлого года).

По данным Samsung, новые чипы позволяют увеличить скорость записи информации с цифрового устройства на SD-карту на 30% по сравнению с картой памяти на базе 30-нм чипов. При этом сохраняется сопоставимый уровень надежности. Новые чипы планируется использовать в картах памяти емкостью от 4 до 64 ГБ со скоростью чтения и записи данных 20 и 10 МБ в секунду соответственно.